三星第七代V NAND閃存可達(dá)176層 采用了“雙堆?！奔夹g(shù)

今年 6 月，三星宣布將投資約 9 萬(wàn)億韓元在位于韓國(guó)京畿道平澤工廠的 2 號(hào)線建設(shè)新的 NAND 閃存芯片生產(chǎn)設(shè)施，以擴(kuò)大 NAND 閃存的生產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該設(shè)施將于 2021 年下半年投入運(yùn)營(yíng)。三星表示，

相比于上一代閃存，第七代閃存在堆棧上取得明顯的進(jìn)步。三星的第六代 NAND 閃存是 128 層，于今年 6 月開(kāi)始量產(chǎn)，而第七代閃存將達(dá)到 176 層，盡管并沒(méi)有達(dá)到其最初計(jì)劃的 192 層，但依然有著明顯的進(jìn)步。

據(jù)悉，第七代 NAND 閃存采用了 “雙堆棧”技術(shù)，這是一種可以將通孔分成兩部分的，以便電流通過(guò)電路的方法。過(guò)去的單堆棧只能有一部分通孔，隨著堆棧層數(shù)的增多，工藝也隨之改進(jìn)。

今年 6 月，三星宣布將投資約 9 萬(wàn)億韓元在位于韓國(guó)京畿道平澤工廠的 2 號(hào)線建設(shè)新的 NAND 閃存芯片生產(chǎn)設(shè)施，以擴(kuò)大 NAND 閃存的生產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該設(shè)施將于 2021 年下半年投入運(yùn)營(yíng)。三星表示，將在新地點(diǎn)大規(guī)模生產(chǎn)尖端 NAND 存儲(chǔ)芯片，可能比原計(jì)劃更早開(kāi)始量產(chǎn)第七代 NAND 閃存芯片。

與 ARAM 相比，NAND 閃存是更具代表性的存儲(chǔ)芯片，且其存儲(chǔ)容量隨著堆棧數(shù)的鄭家而增加，因此堆棧的層數(shù)也被視為 NAND 閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

三星一直通過(guò)減少集成電路的線寬來(lái)提高存儲(chǔ)芯片的性能和容量，引領(lǐng)高級(jí) NAND 閃存的開(kāi)發(fā)。

自 2006 年以來(lái)，三星一直研究 3D NAND 閃存。在存儲(chǔ)芯片的發(fā)展過(guò)程中，隨著存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元變小，當(dāng)線寬小于 10nm 時(shí)，便容易受到單元同單元之間的干擾，而 3D NAND 閃存能夠垂直放置在平面中排列的單元，以減少單元間的干擾。這是一種通過(guò)像公寓一樣垂直堆疊現(xiàn)有平面結(jié)構(gòu) NAND 來(lái)增加存儲(chǔ)容量的方法，在業(yè)界被稱之為 3D NAND 閃存，被三星獨(dú)立命名為 V NAND。

2013 年，三星成功量產(chǎn)了世界上第一個(gè)三維單元結(jié)構(gòu)的 V NAND 閃存，從而改變了技術(shù)范式。當(dāng)時(shí)許多人對(duì) V NAND 閃存的商業(yè)化表示懷疑，不過(guò)現(xiàn)在所有的存儲(chǔ)芯片公司都在展開(kāi)激烈的 3D NAND 閃存競(jìng)爭(zhēng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 128 層 3D NAND 閃存已于今年宣布量產(chǎn)，英特爾也有今年發(fā)布了 144 層 3D NAND 閃存，SK 海力士目前處于 176 4D NAND 研究階段，此外還有西部數(shù)據(jù)(Western Digital)和鎧俠(Kioxia)等公司也在競(jìng)爭(zhēng)之列。

在第一代(24 層)V NAND 閃存商業(yè)化之后，三星持續(xù)增加堆棧層，目前已經(jīng)發(fā)展到第二代(32 層)、第三代(48 層)、第四代(64/72 層)、第五代(92/96 層)和第六代(128 層)。通常更新一代，需要 1 到 2 年時(shí)間。

三星于去年 8 月完成 128 層 V NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。當(dāng)時(shí)，三星宣布已經(jīng)向全球 PC 公司提供了基于第六代 NAND 閃存的企業(yè) PC 固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)。

在 NAND 閃存市場(chǎng)上，三星一直業(yè)界領(lǐng)先。去年，三星以 165.17 億美元的銷售額占據(jù)全球市場(chǎng)的 35.9%，在 NAND 閃存市場(chǎng)中排名第一，持續(xù)自 2002 年以來(lái)的領(lǐng)先地位。

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