GAA晶體管也有多種技術(shù)路線，之前三星提到他們的GAA工藝能夠提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面積，不過這是跟他們的7nm工藝相比的，而且是初期數(shù)據(jù)。
Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
隨著制程工藝的升級(jí)，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節(jié)點(diǎn)上首發(fā)了FinFET工藝，當(dāng)時(shí)叫做3D晶體管，就是將原本平面的晶體管變成立體的FinFET晶體管，提高了性能，降低了功耗。
FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇，一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。
Intel之前已經(jīng)提到5nm工藝正在研發(fā)中，但沒有公布詳情，最新爆料稱他們的5nm工藝會(huì)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管。
GAA晶體管也有多種技術(shù)路線，之前三星提到他們的GAA工藝能夠提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面積，不過這是跟他們的7nm工藝相比的，而且是初期數(shù)據(jù)。
考慮到Intel在工藝技術(shù)上的實(shí)力，他們的GAA工藝性能提升應(yīng)該會(huì)更明顯。
如果能在5nm節(jié)點(diǎn)跟進(jìn)GAA工藝，Intel官方承諾的“5nm工藝重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位”就不難理解了，因?yàn)镚AA工藝上他們也是比較早跟進(jìn)的。
至于5nm工藝的問世時(shí)間，目前還沒明確的時(shí)間表，但I(xiàn)ntel之前提到7nm之后工藝周期會(huì)回歸以往的2年升級(jí)的節(jié)奏，那就是說最快2023年就能見到Intel的5nm工藝。
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